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ID 26493
本文ファイル
著者
廣瀬 全孝
桜田 勇蔵
キーワード
表面損傷
中速イオン散乱
イオン注入装置
飛行時間測定
不純物分布
半導体検出器
スペクトルシミュレーション
プラズマ損傷
semiconductor detector
time of flight measurement
アンチモンイオン注入
ion implanter
surface damage
plasma-induced damage
impurity profile
spectra simulation
コンタクトホール
アルゴンプラズマ
medium energy ion scattering
NDC
電気工学
内容記述
研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096
原著には既発表論文の別刷を含む。
作成年月日
1998-03
言語
日本語
NII資源タイプ
研究報告書
広大資料タイプ
科研費報告書
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
部局名
ナノデバイス・システム研究センター