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ID 18595
本文ファイル
著者
Hansch, Walter
抄録(英)
Core-level intensities for Si 2p, Si2s, O1s, and N1s were measured by x-ray photoelectron spectroscopy in bulk samples of silicon, SiO2 and Si3N4. A complete and consistent set of intensity ratios is given and applied for calculations of thickness and stoichiometry in thin Si/oxide/nitride layers, which can be used for gate dielectrics in advanced metal–oxide–semiconductor field-effect transistor fabrication.
掲載誌名
Applied Physics Letters
75巻
11号
開始ページ
1535
終了ページ
1537
出版年月日
1999-09-13
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0003-6951
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 1999 American Institute of Physics.
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部局名
ナノデバイス・システム研究センター