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ID 18584
本文ファイル
著者
Ohba, Kenji
Kawamura, Kensaku
Kidera, Toshiro
抄録(英)
The low-temperature (410 °C) selective deposition of Si on silicon nitride has been achieved by means of the time-modulated flow of disilane while a very small amount of Si is deposited on SiO2. Very narrow (21 nm width and 28 nm thick) Si wires have been fabricated using the selective deposition. The resistivity of the Si wires fabricated by the selective deposition is much smaller (∼1/5) than that fabricated by the conventional reactive ion etching followed by annealing. This technique will be applicable to the formation of a polycrystalline silicon gate with small resistivity for the high-performance ultrasmall metal–oxide–semiconductor transistors and quantum effect devices.
掲載誌名
Applied Physics Letters
79巻
4号
開始ページ
494
終了ページ
496
出版年月日
2001-07-23
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0003-6951
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2001 American Institute of Physics.
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部局名
ナノデバイス・システム研究センター