このエントリーをはてなブックマークに追加
ID 15364
本文ファイル
著者
Sunami, Hideo
Yoshikawa, Koji
Okuyama, Kiyoshi
キーワード
Beam channel
High-aspect ratio
Metal-oxide-semiconductor transistor
Plasma doping
Three-dimension
NDC
電気工学
抄録(英)
Besides further scaling of the metal-oxide-semiconductor transistor, which has continuously been achieved for these 35 years in large-scale integration, three-dimensional transistors having fin-type silicon substrate have been increasingly important for its promising potential to ultimately scaled ones. In this research, a beam-channel transistor featuring very-tall silicon beam has been proposed and its structure formation techniques are summarized in this article. They are tall beam formation, conformal gate formation, uniform source/drain formation, and conformal metal contact.
掲載誌名
Microelectronic Engineering
83巻
4-9号
開始ページ
1740
終了ページ
1744
出版年月日
2006-04
出版者
Elsevier B.V.
ISSN
0167-9317
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
author
権利情報
Copyright (c) 2006 Elsevier B.V.
関連情報URL(IsVersionOf)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.270
部局名
ナノデバイス・システム研究センター