このエントリーをはてなブックマークに追加
ID 30397
本文ファイル
著者
Kono, Yasushi
Ohya, Nobuyuki
Taguchi, Takashi
Yamamoto, Setsuo
Akai, Koji
NDC
物理学
抄録(英)
We calculated the electronic structures and the thermoelectric properties for type-I and type-VIII Ba8Ga16Sn30 (BGS) clathrates. The band structures show that type-I and type-VIII BGS are indirect semiconductors with band gaps of 0.51 eV and 0.32 eV, respectively. The calculated Seebeck coefficient of n-type type-I BGS is higher than that of n-type type-VIII BGS because of the larger density of states in type-I at the bottom of the conduction band. This is in good agreement with the experimental results. We also calculated the electrical conductivity and thermal conductivity due to charge carriers. Estimated thermoelectric figure of merit, ZT, exceeds 1.0 for both types.
掲載誌名
Journal of Applied Physics
107巻
12号
開始ページ
123720-1
終了ページ
123720-6
出版年月日
2010
出版者
American Institute of Physics
ISSN
0021-8979
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2010 American Institute of Physics
関連情報URL
部局名
先端物質科学研究科