このエントリーをはてなブックマークに追加
ID 19355
本文ファイル
著者
Okabayashi, Jun
Rader, Oliver
Mizokawa, Takashi
Fujimori, Atsushi
Hayashi, Toshiaki
Tanaka, Masaaki
抄録(英)
Valence-band dispersions in Ga1-xMnxAs along the Γ-Δ-X line (k?[001]) are obtained by angle-resolved photoemission spectroscopy. Compared with the spectra of GaAs, a small energy shift caused by Mn doping is observed for one of the valence bands. In addition, states are observed near the Fermi level in Ga1-xMnxAs. These states show no clear dispersions and behave like an impurity band induced by Mn doping.
掲載誌名
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
64巻
12号
開始ページ
125304-1
終了ページ
125304-4
出版年月日
2001-09-06
出版者
American Physical Society
ISSN
0163-1829
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
権利情報
Copyright (c) 2001 The American Physical Society.
関連情報URL
部局名
理学研究科