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ID 21542
本文ファイル
著者
Sasakawa, Tetsuya
Gabovich, Alexander M.
キーワード
Electron tunneling
Break junction
Kondo semiconductor
Energy gap
Ce1-xLaxRhAs
NDC
物理学
抄録(英)
Polycrystalline Ce1-xLaxRhAs is investigated by means of break-junction tunneling. On Ce substituted by La (x=0.01), a pronounced hump structure is developed at the bias ±0.25 V with a shallow dip on it. The hump emergence is consistent with a drastic reduction in the resistivity. These facts give direct evidence for the appearance of mid-gap states near the Fermi energy by a small La substitution for Ce in CeRhAs.
掲載誌名
Physica B: Condensed Matter
383巻
1号
開始ページ
26
終了ページ
27
出版年月日
2006-08-15
出版者
Elsevier
ISSN
0921-4526
NCID
出版者DOI
言語
英語
NII資源タイプ
学術雑誌論文
広大資料タイプ
学術雑誌論文
DCMIタイプ
text
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
author
権利情報
Copyright (c) 2006 Elsevier B.V.
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部局名
総合科学研究科