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ID 26493
file
creator
Hirose, Masataka
桜田 勇蔵
subject
表面損傷
中速イオン散乱
イオン注入装置
飛行時間測定
不純物分布
半導体検出器
スペクトルシミュレーション
プラズマ損傷
semiconductor detector
time of flight measurement
アンチモンイオン注入
ion implanter
surface damage
plasma-induced damage
impurity profile
spectra simulation
コンタクトホール
アルゴンプラズマ
medium energy ion scattering
NDC
Electrical engineering
description
研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096
原著には既発表論文の別刷を含む。
date of created
1998-03
language
jpn
nii type
Research Paper
HU type
Grants-in-Aid for Scientific Research Papers
DCMI type
text
format
application/pdf
department
Research Center for Nanodevices and Systems



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