Compact Modeling of Gallium-Nitride-based High Electron Mobility Transistor for High-Power Circuit Applications
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
Compact Modeling of Gallium-Nitride-based High Electron Mobility Transistor for High-Power Circuit Applications
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| タイトル ( jpn ) |
高電力用途における窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのコンパクトモデル
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| 作成者 |
溝口 健
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| NDC分類 |
物理学 [ 420 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 博士論文 |
| 出版タイプ | Not Applicable (or Unknown)（適用外。または不明） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
Analysis of GaN High Electron Mobility Transistor Switching Characteristics for High-Power Applications with HiSIM-GaN Compact Model; Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, Yasuhiro Okada, Wataru Saito, Mitiko Miura-Mattausch, and Hans JUrgen Mattausch; Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, 04EG03-1-5, (2016).
～を参照している
Modeling of Field-Plate Effect on Gallium-Nitride-based High Electron Mobility Transistors for High-Power Applications; Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, Yasuhiro Okada, Wataru Saito, Mitiko Miura-Mattausch, and Hans Jurgen Mattausch; The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers Transactions on Electronics, Vol. E100-C, No. 3, pp. 321-328, (2017).
～を参照している
[DOI] https://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EG03
～を参照している
[DOI] https://doi.org/10.1587/transele.E100.C.321
～を参照している
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| 学位授与番号 | 甲第7236号 |
| 学位名 | |
| 学位授与年月日 | 2017-03-23 |
| 学位授与機関 |
広島大学
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