First-principles study of type-I and type-VIII Ba_8Ga_16Sn_30 clathrates
Journal of Applied Physics 107 巻 12 号
123720-1-123720-6 頁
2010 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
First-principles study of type-I and type-VIII Ba_8Ga_16Sn_30 clathrates
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| 作成者 |
Kono Yasushi
Ohya Nobuyuki
Taguchi Takashi
Yamamoto Setsuo
Akai Koji
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| 収録物名 |
Journal of Applied Physics
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| 巻 | 107 |
| 号 | 12 |
| 開始ページ | 123720-1 |
| 終了ページ | 123720-6 |
| 抄録 |
We calculated the electronic structures and the thermoelectric properties for type-I and type-VIII Ba8Ga16Sn30 (BGS) clathrates. The band structures show that type-I and type-VIII BGS are indirect semiconductors with band gaps of 0.51 eV and 0.32 eV, respectively. The calculated Seebeck coefficient of n-type type-I BGS is higher than that of n-type type-VIII BGS because of the larger density of states in type-I at the bottom of the conduction band. This is in good agreement with the experimental results. We also calculated the electrical conductivity and thermal conductivity due to charge carriers. Estimated thermoelectric figure of merit, ZT, exceeds 1.0 for both types.
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| NDC分類 |
物理学 [ 420 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
American Institute of Physics
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| 発行日 | 2010 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2010 American Institute of Physics
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| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0021-8979
[DOI] 10.1063/1.3437252
[NCID] AA00693547
[DOI] http://dx.doi.org/10.1063/1.3437252
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