High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors
Microelectronic Engineering 83 巻 4-9 号
1740-1744 頁
2006-04 発行
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| ファイル情報(添付) | |
| タイトル ( eng ) |
High-aspect-ratio structure formation techniques for three-dimensional metal-oxide-semiconductor transistors
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| 作成者 |
Sunami Hideo
Yoshikawa Koji
Okuyama Kiyoshi
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| 収録物名 |
Microelectronic Engineering
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| 巻 | 83 |
| 号 | 4-9 |
| 開始ページ | 1740 |
| 終了ページ | 1744 |
| 抄録 |
Besides further scaling of the metal-oxide-semiconductor transistor, which has continuously been achieved for these 35 years in large-scale integration, three-dimensional transistors having fin-type silicon substrate have been increasingly important for its promising potential to ultimately scaled ones. In this research, a beam-channel transistor featuring very-tall silicon beam has been proposed and its structure formation techniques are summarized in this article. They are tall beam formation, conformal gate formation, uniform source/drain formation, and conformal metal contact.
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| 著者キーワード |
Beam channel
High-aspect ratio
Metal-oxide-semiconductor transistor
Plasma doping
Three-dimension
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| NDC分類 |
電気工学 [ 540 ]
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
Elsevier B.V.
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| 発行日 | 2006-04 |
| 権利情報 |
Copyright (c) 2006 Elsevier B.V.
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| 出版タイプ | Author’s Original（十分な品質であるとして、著者から正式な査読に提出される版） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 収録物識別子 |
[ISSN] 0167-9317
[DOI] 10.1016/j.mee.2006.01.270
[NCID] AA10693521
[DOI] http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.270
～の異版である
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